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ST推出STripFET技术低压MOSFET电子设备行业资讯资讯-【资讯】

发布时间:2021-07-21 17:25:20 阅读: 来源:新风系统厂家

ST公司近日推出基于STripFET技术的低压N通道MOSFET,适用于计算机底板和电信领域内的高频转换应用。

STripFET技术采用优化的版面设计和新颖的制造工艺,可改善选通电极、栅电阻和输入电容特性。提供超低品质因数,可减少传导和转换损失。

这次推出的产品包括STS12NH3LL,STD55NH2LL,STD95NH02L,STL8NH3LL和STL50NH3LL。

其中,STS12NH3LL的工作电压为30V(12A),STSJ50NH3LL的工作电压为30V(50A)。这两款产品的导通电阻都为0.008欧姆(在10V条件下),可在导通阻抗和选通电极间进行折衷(4.5V条件下)。均适用于电信应用中的高频DC-DC转换器,以及膝上电脑应用中的功耗管理电路。

STS12NH3LL采用SO-8封装,STSJ50NH3LL采用PowerSO-8封装。

STD55NH2LL的工作电压为24V(55A),标准导通电阻为0.01欧姆(在10V条件下)或0.012欧姆(在4.5V条件下),采用IPAK (TO-251)或表面装配DPAK (TO-252)封装。适用于高频DC-DC转换器。

STD95NH02L的工作电压为24V(80A)。标准导通电阻为0.0039欧姆(在10V条件下)或0.0055欧姆(在5V条件下)。采用表面装配DPAK (TO-252)封装。

STL8NH3LL和STL50NH3LL都采用PowerFLATTM封装,可提供改良型规格尺寸、低型面高度和低热阻特性。均适用于分立DC-DC转换器内的同步校正电路,以及补偿转换器内的控制FET。

STL8NH3LL的工作电压为30V(8A),标准导通电阻为0.012欧姆(在10V条件下)。采用3.3 x 3.3mm PowerFLATTM封装。

STL50NH3LL的工作电压为30V(27A),标准导通电阻为0.011欧姆(在10V条件下)。采用6 x 5mm PowerFLATTM封装。

ST公司现已提供所有产品,每300K片的价格范围为0.285~0.485美元。

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